Ге субстрат
Тодорхойлолт
Ge моно болор нь хэт улаан туяаны болон IC үйлдвэрлэлийн маш сайн хагас дамжуулагч юм.
Үл хөдлөх хөрөнгө
| Өсөлтийн арга | Чехральскийн арга | ||
| Кристал бүтэц | M3 | ||
| Нэгж эсийн тогтмол | a=5.65754 Å | ||
| Нягт（г/см3） | 5.323 | ||
| Хайлах цэг（℃） | 937.4 | ||
| Допингтой материал | Допинггүй | Sb доптой | In / Ga – допинг хэрэглэсэн |
| Төрөл | / | N | P |
| Эсэргүүцэл | ＞35Ωсм | 0.05 Ом см | 0.05~0.1Ωсм |
| EPD | ＜4×103∕см2 | ＜4×103∕см2 | ＜4×103∕см2 |
| Хэмжээ | 10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， | ||
| dia2” x 0,33 мм диа2” x 0,43 мм 15 x 15 мм | |||
| Зузаан | 0.5 мм, 1.0 мм | ||
| Өнгөлгөө | Ганц эсвэл давхар | ||
| Кристал чиг баримжаа | <100>、<110>、<111>、±0.5º | ||
| Ra | ≤5Å（5µm×5µm） | ||
Ge субстратын тодорхойлолт
Ge субстрат нь германий (Ge) элементээр хийгдсэн субстратыг хэлнэ.Германиум нь электрон болон оптоэлектроникийн төрөл бүрийн хэрэглээнд тохиромжтой өвөрмөц электрон шинж чанартай хагас дамжуулагч материал юм.
Ге субстратыг электрон төхөөрөмж үйлдвэрлэх, ялангуяа хагас дамжуулагч технологийн салбарт ихэвчлэн ашигладаг.Эдгээр нь цахиур (Si) зэрэг бусад хагас дамжуулагчийн нимгэн хальс, эпитаксиаль давхаргыг байрлуулахад үндсэн материал болгон ашигладаг.Ge субстратыг өндөр хурдны транзистор, фотодетектор, нарны зай зэрэг хэрэглээнд зориулсан өвөрмөц шинж чанартай гетероструктур болон нийлмэл хагас дамжуулагч давхаргыг ургуулахад ашиглаж болно.
Германиумыг фотоник болон оптоэлектроникт ашигладаг бөгөөд үүнийг хэт улаан туяаны (IR) илрүүлэгч, линзийг ургуулах субстрат болгон ашиглаж болно.Ge субстрат нь хэт улаан туяаны хэрэглээнд шаардлагатай шинж чанаруудтай, тухайлбал дунд хэт улаан туяаны бүсэд дамжуулах өргөн хүрээ, бага температурт маш сайн механик шинж чанартай байдаг.
Ge субстрат нь цахиуртай нягт уялдаатай торны бүтэцтэй тул Si-д суурилсан электрониктой нэгдэхэд тохиромжтой.Энэхүү нийцтэй байдал нь эрлийз бүтэц үйлдвэрлэх, дэвшилтэт электрон болон фотоник төхөөрөмжийг хөгжүүлэх боломжийг олгодог.
Дүгнэж хэлэхэд, Ge субстрат нь электрон болон оптоэлектроник хэрэглээнд хэрэглэгддэг хагас дамжуулагч материал болох германиар хийсэн субстратыг хэлнэ.Энэ нь бусад хагас дамжуулагч материалыг хөгжүүлэх платформ болж, электроник, оптоэлектроник, фотоникийн салбарт янз бүрийн төхөөрөмж үйлдвэрлэх боломжийг олгодог.
