GaAs субстрат
Тодорхойлолт
Gallium Arsenide (GaAs) нь чухал, боловсорсон бүлгийн III-Ⅴ нийлмэл хагас дамжуулагч бөгөөд оптоэлектроник ба микроэлектроникийн салбарт өргөн хэрэглэгддэг.GaAs нь үндсэндээ хагас тусгаарлагч GaAs ба N төрлийн GaAs гэсэн хоёр ангилалд хуваагддаг.Хагас тусгаарлагч GaAs нь голчлон радар, богино долгионы болон миллиметр долгионы холбоо, хэт өндөр хурдны компьютер, оптик шилэн холболтод ашиглагддаг MESFET, HEMT, HBT бүтэцтэй нэгдсэн хэлхээг хийхэд ашиглагддаг.N төрлийн GaAs нь ихэвчлэн LD, LED, хэт улаан туяаны ойролцоох лазер, квант худгийн өндөр хүчин чадалтай лазер, өндөр үр ашигтай нарны эсүүдэд ашиглагддаг.
Үл хөдлөх хөрөнгө
| Болор | Допингтой | Дамжуулах төрөл | Урсгалын концентраци см-3 | Нягт см-2 | Өсөлтийн арга |
| GaAs | Байхгүй | Si | / | <5×105 | LEC |
| Si | N | >5×1017 | |||
| Cr | Si | / | |||
| Fe | N | ~2×1018 | |||
| Zn | P | >5×1017 |
GaAs субстратын тодорхойлолт
GaAs субстрат нь галлийн арсенид (GaAs) болор материалаар хийгдсэн субстратыг хэлнэ.GaAs нь галли (Ga) ба хүнцэл (As) элементүүдээс тогтсон нийлмэл хагас дамжуулагч юм.
GaAs субстратуудыг маш сайн шинж чанараараа электроник ба оптоэлектроникийн салбарт ихэвчлэн ашигладаг.GaAs субстратын зарим гол шинж чанарууд нь:
1. Электроны өндөр хөдөлгөөн: GaAs нь цахиур (Si) зэрэг бусад нийтлэг хагас дамжуулагч материалаас өндөр электрон хөдөлгөөнтэй байдаг.Энэ шинж чанар нь GaAs субстратыг өндөр давтамжийн өндөр хүчин чадалтай электрон төхөөрөмжид тохиромжтой болгодог.
2. Шууд зурвасын завсар: GaA нь шууд зурвасын завсартай бөгөөд энэ нь электронууд болон нүхнүүд дахин нэгдэх үед үр ашигтай гэрлийн ялгаралт үүсдэг гэсэн үг юм.Энэ шинж чанар нь GaAs субстратуудыг гэрэл ялгаруулах диод (LED) болон лазер зэрэг оптоэлектроник хэрэглээнд тохиромжтой болгодог.
3. Өргөн зурвасын зай: GaAs нь цахиураас илүү өргөн зурвастай тул илүү өндөр температурт ажиллах боломжтой.Энэ өмч нь GaAs-д суурилсан төхөөрөмжүүдийг өндөр температуртай орчинд илүү үр дүнтэй ажиллуулах боломжийг олгодог.
4. Дуу чимээ бага: GaAs субстратууд нь дуу чимээ багатай байдаг тул дуу чимээ багатай өсгөгч болон бусад эмзэг электрон хэрэглээнд тохиромжтой.
GaAs субстратыг өндөр хурдны транзистор, бичил долгионы нэгдсэн хэлхээ (IC), фотоволтайк эс, фотон мэдрэгч, нарны зай зэрэг электрон болон оптоэлектроник төхөөрөмжид өргөн ашигладаг.
Эдгээр субстратуудыг металл органик химийн уурын хуримтлал (MOCVD), молекул цацрагийн эпитакси (MBE) эсвэл шингэн фазын эпитакси (LPE) гэх мэт янз бүрийн техник ашиглан бэлтгэж болно.Ашигласан өсөлтийн тодорхой арга нь хүссэн хэрэглээ болон GaAs субстратын чанарын шаардлагаас хамаарна.
